使用原子力顯微鏡可以監測分子束外延后CdTe/Si復合襯底的表面情況。Si基襯底分子束外延后的CdTe薄膜表面不是很精密而是存在一些微觀凹坑，峰谷值P-V為7.67nm，寬度為1.9um。利用原子力顯微鏡AFM對薄膜表面的微觀缺陷的觀測和表征，精度可以達到納米量級。這種精度是掃描電鏡以及其它的一些表面形貌測試設備所不能比擬的。

使用原子力顯微鏡可以監測碲鎘汞襯底經過機械拋光和化學拋光后材料表面的粗糙程度。碲鎘汞襯底上外延的MCT，除了受外延條件的影響，也受到襯底表面的影響，襯底表面的缺陷也有會表現在外延片上。所以，相對于平整襯底上的外延，會減小外延片的粗糙度。在工藝投片前，外延片選擇1um金剛石機械拋光和化學拋光。

在經過1um金剛石機械拋光之后，MCT表明粗糙度Ra為6.7nm，峰谷值P-V為73nm，經化學拋光，此兩值減小為1.9nm和11nm。此時的MCT表面較為平行度和粗糙度都非常好。原子力顯微鏡AFM可以很直觀和準確的對拋光后的表面粗糙度進行評價，對拋光工藝的改良起到一定的作用。

使用原子力顯微鏡可以很準確的對鎘汞襯器件工藝中的接觸孔進行表征。原子力顯微鏡AFM分析接觸孔，具有簡單、方便、直觀、準確的優點。通過原子力顯微鏡在材料工藝中的應用，可以直觀的得到樣品的表面形貌，利于改良材料工藝中的拋光環節。精度高，抗干擾能力強，掃描結果直觀、準確，原子力顯微鏡在材料器件工藝測試中發揮了巨大作用。